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用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
介绍了MOCVD在位反射谱监测的原理,利用高斯分布模拟GaN材料生长过程中表面不均衡平整度,计算其对反射谱的影响.......
摘要通过对InGaN三元合金的生长方式做对比，发现在相同条件下，因常规生长过程中反应室In的浓度更高，生长出的InGaN中In组分更高。但是......
讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS......
